GLOBAL SEMICONDUCTOR ENGINEERING MEDIAISSUE 001 · INDEPENDENT TECHNICAL JOURNALCONTACT · [email protected]
SiC MOSFET断面構造ソース、ゲート酸化膜、Pボディ、Nドリフト層、ドレインからなる模式図DEVICE CROSS SECTION / 01GATEP-BODYP-BODYN⁻ DRIFT LAYERN⁺ SUBSTRATE / DRAINCURRENT PATH
FIG.01

SiC MOSFETの模式断面。実際の構造・寸法は製品により異なる。

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