パワー半導体
GaN HEMTはなぜノーマリーオフが難しいのか――2DEG・p-GaN・カスコードで読む
GaN HEMTがゼロゲート電圧で導通しやすい理由を2DEGからたどり、p-GaNゲートとカスコードがノーマリーオフを実現する仕組みと設計上の違いを整理する。
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4 ARTICLESパワー半導体
ケルビンソースで何が変わるか――ゲートの戻り道と電力ループを分けて読む
4端子MOSFETのケルビンソースは、何を分離し、何を解決しないのか。共通ソースインダクタンス、駆動回路、サージの関係を二つの電流経路から整理する。
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SiC MOSFETとは何か──構造から理解する高耐圧・低損失の理由
ワイドバンドギャップ、ドリフト層、ボディダイオード。Siデバイスとの違いを断面構造から読み解く。
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SiCゲート酸化膜の信頼性は、なぜ難しいのか
SiO₂/SiC界面の欠陥、しきい値変動、BTIを結びつけて現在地を俯瞰する。
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